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產(chǎn)品詳細(xì)頁(yè)
NeuroNexus 神經(jīng)電極

NeuroNexus 神經(jīng)電極

  • 產(chǎn)品型號(hào):NeuroNexus
  • 更新時(shí)間:2024-12-20
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產(chǎn)品介紹

1. 業(yè)界*的硅電極--標(biāo)準(zhǔn)電極

記錄和刺激單個(gè)神經(jīng)元,多個(gè)神經(jīng)元和局部場(chǎng)電位。

NeuroNexus的標(biāo)準(zhǔn)電極使用了*的硅微電子機(jī)械(MEMS)技術(shù),由密歇根大學(xué)制造完成。NeuroNexus提升了技術(shù),具有能生產(chǎn)更小,更靈活的設(shè)備,這些設(shè)備都非常的精確,具有高度可重復(fù)性、機(jī)械性、幾何學(xué)和電學(xué)的特性。終, NeuroNexus用戶(hù)可以在每次使用我們的電極時(shí)獲得*的記錄結(jié)果。

NeuroNexus提供了多種用于單神經(jīng)元、多神經(jīng)元和局部場(chǎng)電位(LFP)的記錄和刺激的硅電極陣列。為了幫助研究人員定位大腦中不同的結(jié)構(gòu),標(biāo)準(zhǔn)電極開(kāi)發(fā)了大量的設(shè)計(jì)模板,每種設(shè)計(jì)具有不同的參數(shù),包括:長(zhǎng)度(跨皮質(zhì)層),柄的數(shù)量(跨皮質(zhì)柱),電極位點(diǎn)面積(針對(duì)單個(gè)或多個(gè)神經(jīng)元),電極位點(diǎn)間距(針對(duì)特定區(qū)域)和位點(diǎn)布局。

若您需要配置電極,可以在電極陣列設(shè)計(jì)中找到符合您需求的電極陣列,或直接與我們聯(lián)系。一旦你選擇了一個(gè)電極陣列的設(shè)計(jì)方案,并找到與之相匹配的連接器package,以便它可以與你的headstage連接。

 

技術(shù)參數(shù)

電極位點(diǎn)

金屬材質(zhì)

銥 (標(biāo)準(zhǔn)),
鉑 (定制),
金(定制)
電極厚度15 μm or 50 μm
(不同的設(shè)計(jì))
電極長(zhǎng)度2, 3, 4, 5, 6, 10,
15 mm (不同的設(shè)計(jì))
通道數(shù)8, 16, 32, 64, 128, 256
(不同的設(shè)計(jì))

 

2. 光遺傳電極-美國(guó)NeuroNexus電極

產(chǎn)品介紹

NeuroNexus擁有很多不同的產(chǎn)品來(lái)支持光遺傳學(xué)的研究。我們的光遺傳產(chǎn)品包括光電極、植入式光纖、光源系統(tǒng)及其配件。如果您是光遺傳學(xué)領(lǐng)域的新手,我們還為您提供多種不同的光遺傳學(xué)產(chǎn)品讓您順利開(kāi)始您的科學(xué)研究。

任何標(biāo)準(zhǔn)電極陣列都可以升級(jí)為一個(gè)光電極,使得光刺激和神經(jīng)記錄同步進(jìn)行。將光纖(直徑105μm)放在電極柄的頂部,光纖的*位于電極記錄位點(diǎn)以上200μm(距離可根據(jù)要求定制)。

NeuroNexus現(xiàn)在提供用于擴(kuò)展光遺傳學(xué)應(yīng)用的多光纖電極,其結(jié)構(gòu)緊湊并且堅(jiān)固。使用蝕刻光纖(65μm),每個(gè)電極(每個(gè)電極陣列柄一根光纖)可以連接多達(dá)8根光纖。由于光纖和NeuroNexus微電極陣列的物理限制,所以會(huì)有一些設(shè)計(jì)限制。多光纖光電僅適用于LP(無(wú)套管)package。

 

規(guī)格:

光纖熔融石英, 50 μm or 105μm 核心, 多模
外徑62.5 μm (蝕刻), 125 μm, or 400 μm
重量(連接器)< 0.5 g
傳輸率> 75% (50 μm 核心> 到 105 μm 核心)
數(shù)值孔徑0.22, 0.66
持續(xù)性經(jīng)過(guò)40次連接后傳輸變化< 5%
旋轉(zhuǎn)測(cè)試1次旋轉(zhuǎn)后變化< 2%
連接強(qiáng)度掙脫力>300g(典型)

 

3. 給藥電極_NeuroNexus藥物輸送電極

藥物輸送+化學(xué)感應(yīng)

結(jié)合藥物輸送和電生理記錄。
在E16-20mm-100-177電極陣列上可以放置藥物引導(dǎo)管將藥物輸送和電生理記錄結(jié)合起來(lái)。藥物引導(dǎo)管放置在微電極陣列側(cè)面,藥物從引導(dǎo)管的末端輸出。引導(dǎo)管接頭與標(biāo)準(zhǔn)HPLC適配器兼容,并與外部注射泵連接。通常情況下,使用基于壓力的送藥方式。
與我們的眾多產(chǎn)品相同,給藥電極也可以定制。
可以調(diào)整NeuroNexus電極以檢測(cè)神經(jīng)化學(xué)和電生理信號(hào)??梢酝ㄟ^(guò)分析由離子選擇膜涂覆的電極位點(diǎn)的在體循環(huán)伏安法來(lái)實(shí)現(xiàn)化學(xué)檢測(cè)。NeuroNexus不提供涂層,但可以提供描述涂層方法的設(shè)計(jì)建議和參考。



規(guī)格:

電極位點(diǎn)的金屬材質(zhì)
電極整體厚度≈ 185 μm
引導(dǎo)管*角度90°(標(biāo)準(zhǔn))
45°(定制)
植入深度15-18 mm
電極區(qū)域1.5 mm
通道數(shù)16
可用的packageD16,DM16

 

4. 表面電極: ECoG

柔軟的聚合物表面網(wǎng)格,具有高分辨率。


表面陣列電極是使用聚合物MEMS技術(shù)制造的,能夠貼合大腦表面的超柔性電極。表面電極可用于記錄包括腦,脊髓,外周神經(jīng)和心臟等各種部位的生理信號(hào)(如EEG,ECoG,EMG和ECG)。(詳見(jiàn)我們的神經(jīng)心理學(xué)目錄。)這類(lèi)電極還可以和標(biāo)準(zhǔn)電極結(jié)合使用,實(shí)現(xiàn)表面和深部腦區(qū)的同時(shí)記錄。表面電極還可以與其他神經(jīng)連接。 
NeuroNexus 提供多種電極設(shè)計(jì),適用于從小鼠到非人靈長(zhǎng)類(lèi)動(dòng)物。

規(guī)格:

電極位點(diǎn)金屬材質(zhì)

Platinum
電極厚度15 μm
電極長(zhǎng)度5, 6, 10, 20, 30 mm
(varies by design)
通道數(shù)16, 32, 64
(varies by design)

 

5. NeuroNexus 3D電極_Matrix Array 

3D記錄不同空間位置的神經(jīng)細(xì)胞。
多功能配置、性能可靠。

NeuroNexus 3D電極_Matrix Array 是采用成熟的硅技術(shù)設(shè)計(jì)的新的三維電極,用于像靈長(zhǎng)類(lèi)這樣的大型動(dòng)物的急性和慢性實(shí)驗(yàn)。

Matrix Array™同時(shí)跨越皮質(zhì)層和皮質(zhì)柱,覆蓋大片區(qū)域,記錄大量的神經(jīng)信息。

Matrix Array可以直接使用我們標(biāo)準(zhǔn)的2D硅電極組裝,每一片硅電極的間距和陣列形式都可以定制,可以靈活自如地設(shè)計(jì)出跨越任何解剖結(jié)構(gòu)的3D電極。Matrix Array通過(guò)一個(gè)超柔的線纜連接到電極連接器上。

每個(gè)電極都提供了配套的工具(包括測(cè)量工具,模擬裝配,螺絲等),協(xié)助您提高電極記錄的成功率。

從左上角開(kāi)始順時(shí)針順序:?jiǎn)魏薓atrix Array™,雙核Matrix Array™,多核Matrix Array™電極與表面電極,單核Matrix Array™與表面電極

 

NeuroNexus 3D電極_Matrix Array有高度靈活的配置。各種配置都可以擴(kuò)展傳統(tǒng)的記錄區(qū)域,能夠與從腦表面到皮質(zhì)下結(jié)構(gòu)的任何部分相互連接。單個(gè)電極組件,或?yàn)槎鄠€(gè)植入位置選擇雙核組件。使表面電極和植入電極的組合記錄腦表面和腦皮層??蓪⒍毯烷L(zhǎng)電極混合在一個(gè)陣列中,以記錄并刺激高達(dá)10毫米深的腦組織結(jié)構(gòu)。

上圖:配置有不同電極長(zhǎng)度的單個(gè)Matrix Array™,對(duì)大腦中不同區(qū)域進(jìn)行定位。

 

規(guī)格:

通道數(shù)64, 128, 256
X 軸跨度Up to 1.8 mm
Y 軸跨度0.6 mm - 3 mm
Z 軸跨度Up to 15 mm
電極間距(見(jiàn)Y軸跨度)200 μm, 300 μm, 600 μm,800 μm, 1000 μm (訂購(gòu)時(shí)注明)
線纜長(zhǎng)度30 mm(定制)
電極位點(diǎn)的金屬材質(zhì)
電極厚度50 μm
提供的Packages大型動(dòng)物慢性,
小型動(dòng)物慢性,
Smart, MRI, Acute

 

6. Qtrode: 4 通道電極

4通道電極有精確的,易于重復(fù)使用的幾何形狀。
Qtrode是一種4通道電極,適用于較低通道數(shù)或替代使用導(dǎo)線記錄的急性和慢性實(shí)驗(yàn)。Qtrodes的技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)電極相同,可快速交貨。
Qtrodes可以達(dá)到10mm深的腦區(qū),線性位置布局可以跨越150μm, 300μm或600μm的深度。適配器可與常用的Headstage接口連接。 Qtrode也可以配合微型驅(qū)動(dòng)器的長(zhǎng)期使用(dDrive或oDrive)。

上圖:電極接口板(EIB)允許將多個(gè)Qtrodes植入同一只動(dòng)物。它與QIB板(未示出)連接,通過(guò)單個(gè)16通道Omnetics接口的Headstage連接。

規(guī)格:

電極位點(diǎn)的
金屬材質(zhì)
銥 (標(biāo)準(zhǔn))
電極厚度15 μm or 50 μm
(不同的設(shè)計(jì))
電極長(zhǎng)度3, 5, 10 mm
(不同的設(shè)計(jì))
位點(diǎn)布局Linear 或 Tetrode
通道數(shù)4
分裝方式急性,慢性(CQ4)
慢性混合(HQ4)
光纖,EIB / QIB

 

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